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2N3332


SI P-FET transistor
GFX
UDS -
IDS -
UGS 6V
RDS(ON) -
Ptot 300mW
fT -
the 2N3332 is a silicon P-channel field effect transistor preferred for use in low noise low signal applications
Image: -
Source: Texas Instruments Halbleiter D...... [plus]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
Informations plus avancées pour 2N3332
OEM:Texas Instru... [plus]
Texas Instruments
Package: TO-18
Fiche technique (jpg):disponible
Fiche technique (pdf):disponible
OEM Fiche technique:-
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-
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