Lookbooks
R
X
G
страница:

2N3331


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -
IDS -
UGS 8V
RDS(ON) 0.6Ω
Ptot 300mW
fT -
the 2N3331 is a silicon P-channel field effect transistor preferred for use in low noise low signal applications
Рисунок: -
источник: Texas Instruments Halbleiter D...... [еще]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
подробная информация 2N3331
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-18
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

2N3331


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -
IDS -
UGS 8V
RDS(ON) 0.6Ω
Ptot 300mW
fT -
the 2N3331 is a silicon P-channel field effect transistor preferred for use in low noise low signal applications
Рисунок: -
источник: Texas Instruments Halbleiter D...... [еще]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
подробная информация 2N3331
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-18
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

2N3331


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -
IDS -
UGS 8V
RDS(ON) 0.6Ω
Ptot 300mW
fT -
the 2N3331 is a silicon P-channel field effect transistor preferred for use in low noise low signal applications
Рисунок: -
источник: Texas Instruments Halbleiter D...... [еще]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
подробная информация 2N3331
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-18
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск