Lookbooks
R
X
G
страница:

2N2386


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -
IDS -
UGS 10V
RDS(ON) -
Ptot 500mW
fT -
the 2N2386 is a silicon P-channel field effect transistor preferred for use in industrial low signal applications
Рисунок: -
источник: Texas Instruments Halbleiter D...... [еще]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
подробная информация 2N2386
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-5
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

2N2386


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -
IDS -
UGS 10V
RDS(ON) -
Ptot 500mW
fT -
the 2N2386 is a silicon P-channel field effect transistor preferred for use in industrial low signal applications
Рисунок: -
источник: Texas Instruments Halbleiter D...... [еще]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
подробная информация 2N2386
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-5
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

2N2386


силиконовый P-FET транзистор
GFX
UDS -
IDS -
UGS 10V
RDS(ON) -
Ptot 500mW
fT -
the 2N2386 is a silicon P-channel field effect transistor preferred for use in industrial low signal applications
Рисунок: -
источник: Texas Instruments Halbleiter D...... [еще]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
подробная информация 2N2386
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-5
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск