Lookbooks
R
X
G
Seite:

MJ2501


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 150W
fT -
TJ 200°C
the MJ2501 is a PNP silicon transistor preferred for use as output device in complementary general purpose amplifier applications
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ2501
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ2501 Datenblatt (jpg):-
MJ2501 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ2501


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 150W
fT -
TJ 200°C
the MJ2501 is a PNP silicon transistor preferred for use as output device in complementary general purpose amplifier applications
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ2501
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ2501 Datenblatt (jpg):-
MJ2501 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ2501


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 150W
fT -
TJ 200°C
the MJ2501 is a PNP silicon transistor preferred for use as output device in complementary general purpose amplifier applications
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ2501
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ2501 Datenblatt (jpg):-
MJ2501 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ2501


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 150W
fT -
TJ 200°C
the MJ2501 is a PNP silicon transistor preferred for use in power linear and switching applications
Photo: -
Quelle: SGS ATES Databook discret...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Erweiterte Informationen zu MJ2501
OEM:Ates Compone... [mehr]
Ates Component Electronics (SGS)
Gehäuse: TO-3
MJ2501 Datenblatt (jpg):verfügbar
MJ2501 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ2501


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 150W
fT -
TJ 200°C
the MJ2501 is a PNP silicon transistor preferred for use in power linear and switching applications
Photo: -
Quelle: SGS ATES Databook discret...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Erweiterte Informationen zu MJ2501
OEM:Ates Compone... [mehr]
Ates Component Electronics (SGS)
Gehäuse: TO-3
MJ2501 Datenblatt (jpg):verfügbar
MJ2501 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ2501


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 150W
fT -
TJ 200°C
the MJ2501 is a PNP silicon transistor preferred for use in power linear and switching applications
Photo: -
Quelle: SGS ATES Databook discret...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Erweiterte Informationen zu MJ2501
OEM:Ates Compone... [mehr]
Ates Component Electronics (SGS)
Gehäuse: TO-3
MJ2501 Datenblatt (jpg):verfügbar
MJ2501 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche