Lookbooks
R
X
G
Seite:

MJ16020


SI NPN Transistor
GFX
UCE 850V
IC 30A
hFE >5
Ptot 250W
fT -
TJ 200°C
the MJ16020 is a NPN silicon power transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ16020
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-204AE
MJ16020 Datenblatt (jpg):-
MJ16020 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ16020


SI NPN Transistor
GFX
UCE 850V
IC 30A
hFE >5
Ptot 250W
fT -
TJ 200°C
the MJ16020 is a NPN silicon power transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ16020
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-204AE
MJ16020 Datenblatt (jpg):-
MJ16020 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ16020


SI NPN Transistor
GFX
UCE 850V
IC 30A
hFE >5
Ptot 250W
fT -
TJ 200°C
the MJ16020 is a NPN silicon power transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ16020
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-204AE
MJ16020 Datenblatt (jpg):-
MJ16020 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche