Lookbooks
R
X
G
страница:

MJ16012


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE 850V
IC 15A
hFE >5
Ptot 175W
fT -
TJ 200°C
the MJ16012 is a NPN silicon power transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ16012
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ16012


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE 850V
IC 15A
hFE >5
Ptot 175W
fT -
TJ 200°C
the MJ16012 is a NPN silicon power transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ16012
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ16012


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE 850V
IC 15A
hFE >5
Ptot 175W
fT -
TJ 200°C
the MJ16012 is a NPN silicon power transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ16012
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск