Lookbooks
R
X
G
страница:

MJ11031


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -50A
hFE 0.4-18k
Ptot 300W
fT -
TJ 200°C
the MJ11031 is at PNP silicon power darlington transistor preferred for use in complementary general purpose amplifier applications
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ11031
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ11031


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -50A
hFE 0.4-18k
Ptot 300W
fT -
TJ 200°C
the MJ11031 is at PNP silicon power darlington transistor preferred for use in complementary general purpose amplifier applications
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ11031
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ11031


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -50A
hFE 0.4-18k
Ptot 300W
fT -
TJ 200°C
the MJ11031 is at PNP silicon power darlington transistor preferred for use in complementary general purpose amplifier applications
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ11031
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск