Lookbooks
R
X
G
страница:

MJ11012


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 30A
hFE >200
Ptot 200W
fT >4MHz
TJ 200°C
the MJ11012 is a high current NPN silicon darlington transistor preferred for use as output device in general purpose amplifier applications
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ11012
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ11012


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 30A
hFE >200
Ptot 200W
fT >4MHz
TJ 200°C
the MJ11012 is a high current NPN silicon darlington transistor preferred for use as output device in general purpose amplifier applications
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ11012
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ11012


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 30A
hFE >200
Ptot 200W
fT >4MHz
TJ 200°C
the MJ11012 is a high current NPN silicon darlington transistor preferred for use as output device in general purpose amplifier applications
Рисунок: -
источник: datasheet
подробная информация MJ11012
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск