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MJ11012


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 30A
hFE >200
Ptot 200W
fT >4MHz
TJ 200°C
the MJ11012 is a high current NPN silicon darlington transistor preferred for use as output device in general purpose amplifier applications
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ11012
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ11012 Datenblatt (jpg):-
MJ11012 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

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GFX
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IC 30A
hFE >200
Ptot 200W
fT >4MHz
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