Lookbooks
R
X
G
страница:

MJ10021


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE 350V
IC 60A
hFE 0.075-1k
Ptot 250W
fT -
TJ 200°C
the MJ10021 is a high power NPN silicon darlington transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Рисунок: открыть
Buy:
MJ10021 4,50€ / 1
подробная информация MJ10021
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ10021


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE 350V
IC 60A
hFE 0.075-1k
Ptot 250W
fT -
TJ 200°C
the MJ10021 is a high power NPN silicon darlington transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Рисунок: открыть
Buy:
MJ10021 4,50€ / 1
подробная информация MJ10021
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MJ10021


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE 350V
IC 60A
hFE 0.075-1k
Ptot 250W
fT -
TJ 200°C
the MJ10021 is a high power NPN silicon darlington transistor preferred for use in high voltage, high speed power switching applications in inductive circuits where fall time is critical
Рисунок: открыть
Buy:
MJ10021 4,50€ / 1
подробная информация MJ10021
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск