Lookbooks
R
X
G
страница:

LAE4001R


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
fT 4GHz
TJ 200°C
the LAE4001R is a silicon NPN microwave power transistor preferred for use in common emitter class A linear power amplifiers up to 4GHz
Рисунок: -
источник: PSC Philips Data Handbook...... [еще]
PSC Philips Data Handbook SC15
подробная информация LAE4001R
OEM:Philips Semi... [еще]
Philips Semiconductors
Корпус: SOT100
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

LAE4001R


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
fT 4GHz
TJ 200°C
the LAE4001R is a silicon NPN microwave power transistor preferred for use in common emitter class A linear power amplifiers up to 4GHz
Рисунок: -
источник: PSC Philips Data Handbook...... [еще]
PSC Philips Data Handbook SC15
подробная информация LAE4001R
OEM:Philips Semi... [еще]
Philips Semiconductors
Корпус: SOT100
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

LAE4001R


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
fT 4GHz
TJ 200°C
the LAE4001R is a silicon NPN microwave power transistor preferred for use in common emitter class A linear power amplifiers up to 4GHz
Рисунок: -
источник: PSC Philips Data Handbook...... [еще]
PSC Philips Data Handbook SC15
подробная информация LAE4001R
OEM:Philips Semi... [еще]
Philips Semiconductors
Корпус: SOT100
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск