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LAE4001R


SI NPN Transistor
UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
fT 4GHz
TJ 200°C
the LAE4001R is a silicon NPN microwave power transistor preferred for use in common emitter class A linear power amplifiers up to 4GHz
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu LAE4001R
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT100
LAE4001R Datenblatt (jpg):-
LAE4001R Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

LAE4001R


SI NPN Transistor
UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
fT 4GHz
TJ 200°C
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PSC Philips Data Handbook SC15
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT100
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-
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LAE4001R


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UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
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