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B812


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
hFE -
Ptot 60W
fT -
TJ -
the B812 is a silicon PNP transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: power transistor
Foto: -
fonte: 2SB812
Informazioni aggiuntive per B812
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↑2SD1032
prodotti simili:BD246A, [piú]
BD246A,BDV92,2SA1141,2SB775,2SB776
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B812


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
hFE -
Ptot 60W
fT -
TJ -
the B812 is a silicon PNP transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: power transistor
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fonte: 2SB812
Informazioni aggiuntive per B812
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
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the B812 is a silicon PNP transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: power transistor
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OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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2SD1032


SI NPN transistor
prodotto complementare per B812
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC DC/AC 4/8A
hFE -
Ptot 60W
TON/TOFF 0.2/1.4µS
TJ -
the 2SD1032 is a silicon NPN transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: power transistor
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotti complementari: 2SD1032
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura: TO-3P
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IC DC/AC 4/8A
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