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B812


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
hFE -
Ptot 60W
fT -
TJ -
the B812 is a silicon PNP transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB812
Erweiterte Informationen zu B812
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: TO-3P
B812 Datenblatt (jpg):-
B812 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SD1032
Ähnliche Typen:BD246A, [mehr]
BD246A,BDV92,2SA1141,2SB775,2SB776
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B812


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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2SD1032


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B812
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC DC/AC 4/8A
hFE -
Ptot 60W
TON/TOFF 0.2/1.4µS
TJ -
the 2SD1032 is a silicon NPN transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: power transistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD1032
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: TO-3P
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Komplementär Typ zu B812
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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