B811 силиконовый PNP транзистор | | UCE/UCB | -25/-30V | | IC | -1A | hFE | - | Ptot | 350mW | fT | 110MHz | TJ | - | Рисунок: | - | источник: | 2SB811 | | подробная информация B811 | OEM: | Nippon Elect... [еще] Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan | Корпус: | - | Лист технических данных (jpg): | - | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: ↑ | 2SD1021 | Список аналогов: | BC636, [еще] BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116 | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
B811 силиконовый PNP транзистор | | UCE/UCB | -25/-30V | | IC | -1A | hFE | - | Ptot | 350mW | fT | 110MHz | TJ | - | Рисунок: | - | источник: | 2SB811 | |
| подробная информация B811 | OEM: | Nippon Elect... [еще] Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan | Корпус: | - | Лист технических данных (jpg): | - | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: ↑ | 2SD1021 | Список аналогов: | BC636, [еще] BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116 | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
B811 силиконовый PNP транзистор | | UCE/UCB | -25/-30V | | IC | -1A | hFE | - | Ptot | 350mW | fT | 110MHz | TJ | - | Рисунок: | - | источник: | 2SB811 | | подробная информация B811 | OEM: | Nippon Elect... [еще] Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan | Корпус: | - | Лист технических данных (jpg): | - | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: ↑ | 2SD1021 | Список аналогов: | BC636, [еще] BC636,2SA1703,2SA1705,2SB1116 | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
|