Lookbooks
R
X
G
страница:

B810


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
Рисунок: -
источник: 2SB810
подробная информация B810
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD1020
Список аналогов:2SA1705, [еще]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B810


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
Рисунок: -
источник: 2SB810
подробная информация B810
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD1020
Список аналогов:2SA1705, [еще]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B810


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
Рисунок: -
источник: 2SB810
подробная информация B810
OEM:Nippon Elect... [еще]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD1020
Список аналогов:2SA1705, [еще]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B810


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
Рисунок: -
источник: KSB810
подробная информация B810
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B810


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
Рисунок: -
источник: KSB810
подробная информация B810
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B810


силиконовый PNP транзистор
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
Рисунок: -
источник: KSB810
подробная информация B810
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус:TO-92S
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск