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B810


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
Foto: -
fonte: 2SB810
Informazioni aggiuntive per B810
OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
copertura:-
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SD1020
prodotti simili:2SA1705, [piú]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
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B810


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GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
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the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
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fonte: 2SB810
Informazioni aggiuntive per B810
OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
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the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
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B810


SI PNP transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
Foto: -
fonte: KSB810
Informazioni aggiuntive per B810
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura:TO-92S
scheda tecnica (jpg):-
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-
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TJ 150°C
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Foto: -
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IC -0.7A
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Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
Foto: -
fonte: KSB810
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