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B810


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
Image: -
Source: 2SB810
Informations plus avancées pour B810
OEM:Nippon Elect... [plus]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Package:-
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↓2SD1020
Liste des type similaires: ↓2SA1705, [plus]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
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Composant rech.:recherche

B810


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
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Informations plus avancées pour B810
OEM:Nippon Elect... [plus]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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SI PNP transistor
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UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
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the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
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Composant rech.:recherche

B810


SI PNP transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
Image: -
Source: KSB810
Informations plus avancées pour B810
OEM:Samsung Elec... [plus]
Samsung Electronics CO. LTD.
Package:TO-92S
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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-
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-
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SI PNP transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
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the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
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