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B810


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
the B810 is a silicon PNP transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, applications: general purpose, low U ce voltage saturation
Photo: -
Quelle: 2SB810
Erweiterte Informationen zu B810
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
B810 Datenblatt (jpg):-
B810 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD1020
Ähnliche Typen: ↓2SA1705, [mehr]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
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SI PNP Transistor
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE 35-400
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ 150°C
the B810 is a silicon PNP transistor preferred for use in audio frequency amplifier applications
Photo: -
Quelle: KSB810
Erweiterte Informationen zu B810
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse:TO-92S
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