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B808


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 250mW
fT 250MHz
TJ -
the B808 is a silicon PNP transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, applications: low U ce voltage saturation
Foto: -
fonte: 2SB808
Informazioni aggiuntive per B808
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura:-
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↑2SD1012
prodotti simili:2SA1705, [piú]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
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B808


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 250mW
fT 250MHz
TJ -
the B808 is a silicon PNP transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, applications: low U ce voltage saturation
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Informazioni aggiuntive per B808
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Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 250mW
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the B808 is a silicon PNP transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, applications: low U ce voltage saturation
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2SD1012


SI NPN transistor
prodotto complementare per B808
GFX
UCE/UCB 15/20V
IC DC/AC 0.7/1.5A
hFE -
Ptot 250mW
fT 250MHz
TJ -
the 2SD1012 is a silicon NPN transistor, Ucb = 20V, Ic = 700mA, Uce = 15V, applications: low U ce voltage saturation
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotti complementari: 2SD1012
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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SI NPN transistor
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UCE/UCB 15/20V
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Ptot 250mW
fT 250MHz
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the 2SD1012 is a silicon NPN transistor, Ucb = 20V, Ic = 700mA, Uce = 15V, applications: low U ce voltage saturation
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