R
X
G
ll
 страница:
1 .. 815 816816 817 818 819 820820 821 .. 1676  
rr

первая страница

mn

кремниевые тиристоры

sc

диоды

di

транзисторы

tr

интегральные схемы

ic

маркировка SMD

smd

поиск по параметрам

L
R

B751


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
the B751 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Рисунок: -
источник: 2SB751
подробная информация B751
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↑2SD837
Список аналогов:BD646, [еще]
BD646,BD898,BDW24A,BDW64A
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B751


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
the B751 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Рисунок: -
источник: 2SB751
подробная информация B751
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↑2SD837
Список аналогов:BD646, [еще]
BD646,BD898,BDW24A,BDW64A
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B751


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
the B751 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Рисунок: -
источник: 2SB751
подробная информация B751
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↑2SD837
Список аналогов:BD646, [еще]
BD646,BD898,BDW24A,BDW64A
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SD837


силиконовый NPN darlington транзистор
Комплементарная пара для B751
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.3/4µS
TJ -
the 2SD837 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1996
Комплементарные пары: 2SD837
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↑2SB751
Список аналогов:BD901, [еще]
BD901,BD645,2SD1191
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SD837


силиконовый NPN darlington транзистор
Комплементарная пара для B751
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.3/4µS
TJ -
the 2SD837 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1996
Комплементарные пары: 2SD837
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↑2SB751
Список аналогов:BD901, [еще]
BD901,BD645,2SD1191
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SD837


силиконовый NPN darlington транзистор
Комплементарная пара для B751
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.3/4µS
TJ -
the 2SD837 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1996
Комплементарные пары: 2SD837
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара: ↑2SB751
Список аналогов:BD901, [еще]
BD901,BD645,2SD1191
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск
импрессум
информация предоставляется без гарантии
Защита данных