транзистор B751 Лист техн

B751

силиконовый PNP darlington транзистор

GFX

U_CE/U_CB

-60/-60V

I_C

-4A

h_FE

1-10k

P_tot

40W

T_ON/T_OFF

0.2/2µS

T_J

the B751 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor

Рисунок:

источник:

2SB751

подробная информация B751
OEM:	Matsushita D... [еще] Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус:	TO-220
Лист технических данных (jpg):	-
Лист технических данных (pdf):	-
OEM Лист технических данных:	-
Комплементарная пара: ↓	2SD837
Список аналогов: ↓	BD646, [еще] BD646,BD898,BDW24A,BDW64A
искать аналог:	искать аналог

поиск по детали:	поиск

B751

силиконовый PNP darlington транзистор

GFX

U_CE/U_CB

-60/-60V

I_C

-4A

h_FE

1-10k

P_tot

40W

T_ON/T_OFF

0.2/2µS

T_J

the B751 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor

Рисунок:

источник:

2SB751

подробная информация B751
OEM:	Matsushita D... [еще] Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус:	TO-220
Лист технических данных (jpg):	-
Лист технических данных (pdf):	-
OEM Лист технических данных:	-
Комплементарная пара: ↓	2SD837
Список аналогов: ↓	BD646, [еще] BD646,BD898,BDW24A,BDW64A
искать аналог:	искать аналог

поиск по детали:	поиск

B751

силиконовый PNP darlington транзистор

GFX

U_CE/U_CB

-60/-60V

I_C

-4A

h_FE

1-10k

P_tot

40W

T_ON/T_OFF

0.2/2µS

T_J

the B751 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor

Рисунок:

источник:

2SB751

подробная информация B751
OEM:	Matsushita D... [еще] Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус:	TO-220
Лист технических данных (jpg):	-
Лист технических данных (pdf):	-
OEM Лист технических данных:	-
Комплементарная пара: ↓	2SD837
Список аналогов: ↓	BD646, [еще] BD646,BD898,BDW24A,BDW64A
искать аналог:	искать аналог

поиск по детали:	поиск