transistor B750B - Tipo similar

B750B

SI PNP darlington transistor

GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-2A

h_FE

1-10k

P_tot

35W

T_ON/T_OFF

0.2/2µS

T_J

the B750B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 2A, applications: integrated diode, power transistor

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2SB750B

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OEM:	Matsushita D... [más] Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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B750B

SI PNP darlington transistor

GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-2A

h_FE

1-10k

P_tot

35W

T_ON/T_OFF

0.2/2µS

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SI PNP darlington transistor

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U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-2A

h_FE

1-10k

P_tot

35W

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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDT60B

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-4A

h_FE

>750

P_tot

50W

f_T

>10MHz

T_J

the BDT60B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode

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Jaeger electronic catalog 1999

Tipo similar: BDT60B
OEM:	Texas Instru... [más] Texas Instruments
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SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-4A

h_FE

>750

P_tot

50W

f_T

>10MHz

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the BDT60B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode

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SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-4A

h_FE

>750

P_tot

50W

f_T

>10MHz

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the BDT60B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode

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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

BDW24C

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-6A

h_FE

0.75-20k

P_tot

50W

f_T

T_J

150°C

the BDW24C is a silicon PNP darlington transistor preferred for use in power applications

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SGS ATES Databook discret...... [más]

SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977

Tipo similar: BDW24C
OEM:	Ates Compone... [más] Ates Component Electronics (SGS)
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U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-6A

h_FE

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P_tot

50W

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BDW24C

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-6A

h_FE

0.75-20k

P_tot

50W

f_T

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150°C

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BDW54C

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-4A

h_FE

>750

P_tot

40W

f_T

>1MHz

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BDW54C

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-4A

h_FE

>750

P_tot

40W

f_T

>1MHz

T_J

the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode

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BDW54C

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-4A

h_FE

>750

P_tot

40W

f_T

>1MHz

T_J

the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode

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BDW64C

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-6A

h_FE

>750

P_tot

60W

f_T

>1MHz

T_J

the BDW64C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 6A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode

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SI PNP darlington transistor
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U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-6A

h_FE

>750

P_tot

60W

f_T

>1MHz

T_J

the BDW64C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 6A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode

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BDW64C

SI PNP darlington transistor
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GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-6A

h_FE

>750

P_tot

60W

f_T

>1MHz

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