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B682


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE -
Ptot 30W
fT 8MHz
TJ -
the B682 is a silicon PNP transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB682
Erweiterte Informationen zu B682
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-220
B682 Datenblatt (jpg):-
B682 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD712
Ähnliche Typen:BD244C, [mehr]
BD244C,BD954,2SA1293,2SB633
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B682


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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
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Ptot 30W
fT 8MHz
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Erweiterte Informationen zu B682
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-220
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Komplementär Typ: ↑2SD712
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IC -4A
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Ptot 30W
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Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-220
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2SD712


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B682
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 4A
hFE -
Ptot 30W
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the 2SD712 is a silicon NPN transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: power transistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD712
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-220
2SD712 Datenblatt (jpg):-
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Ähnliche Typen:BD243C
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Komplementär Typ zu B682
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Komplementärtyp: 2SD712
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