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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
the B679 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Foto: -
fonte: 2SB679
Informazioni aggiuntive per B679
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SD689
prodotti simili:BDW54C, [piú]
BDW54C,2SB751B
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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
the B679 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Foto: -
fonte: 2SB679
Informazioni aggiuntive per B679
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
the B679 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 1.5A
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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BDW54C


SI PNP darlington transistor
simile a B679 vedi nota
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BDW54C
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: TO-220
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BDW54C


SI PNP darlington transistor
simile a B679 vedi nota
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
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Prodotto simile: BDW54C
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BDW54C


SI PNP darlington transistor
simile a B679 vedi nota
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
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Prodotto simile: BDW54C
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
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2SB751B


SI PNP darlington transistor
simile a B679 vedi nota
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
the 2SB751B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
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2SB751B


SI PNP darlington transistor
simile a B679 vedi nota
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
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the 2SB751B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
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Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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2SB751B


SI PNP darlington transistor
simile a B679 vedi nota
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
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the 2SB751B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
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Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura: TO-220
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