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B679


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
the B679 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Photo: -
Quelle: 2SB679
Erweiterte Informationen zu B679
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B679 Datenblatt (jpg):-
B679 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SD689
Ähnliche Typen: ↑BDW54C, [mehr]
BDW54C,2SB751B
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B679


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
the B679 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Photo: -
Quelle: 2SB679
Erweiterte Informationen zu B679
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
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Komplementär Typ:2SD689
Ähnliche Typen: ↑BDW54C, [mehr]
BDW54C,2SB751B
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B679


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
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the B679 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 1.5A
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Ähnliche Typen: ↑BDW54C, [mehr]
BDW54C,2SB751B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BDW54C


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B679 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDW54C
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
BDW54C Datenblatt (jpg):-
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Ähnliche Typen: ↑BDW24C, [mehr]
BDW24C,BDW64C
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BDW54C


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B679 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
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SI PNP darlington Transistor
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IC -4A
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Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
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2SB751B


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B679 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
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the 2SB751B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: TO-220
2SB751B Datenblatt (jpg):-
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Ähnliche Typen: ↑BD650, [mehr]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
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TON/TOFF 0.2/2µS
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Jaeger electronic catalog 1999
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: TO-220
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2SB751B


SI PNP darlington Transistor
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
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the 2SB751B is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB751B
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: TO-220
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