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B677


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B677 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Foto: -
Fuente: 2SB677
Información avanzada para B677
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
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Hoja de datos (pdf):-
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Tipo complementario: ↑2SD687
Lista de tipos similares:BD898, [más]
BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A
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B677


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B677 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
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SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
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the B677 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
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SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B677
GFX
UCE/UCB 40/60V
IC 3A
hFE >2000
Ptot 25W
TON/TOFF 0.1/1.2µS
TJ -
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Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
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SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B677
GFX
UCE/UCB 40/60V
IC 3A
hFE >2000
Ptot 25W
TON/TOFF 0.1/1.2µS
TJ -
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SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B677
GFX
UCE/UCB 40/60V
IC 3A
hFE >2000
Ptot 25W
TON/TOFF 0.1/1.2µS
TJ -
the 2SD687 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 3A, applications: integrated diode, power transistor
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