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B677


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B677 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Foto: -
fonte: 2SB677
Informazioni aggiuntive per B677
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↓2SD687
prodotti simili: ↓BD898, [piú]
BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A
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B677


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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IC -4A
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TON/TOFF 0.15/1.2µS
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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