Lookbooks
R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 738738 739 740740 741 742742 743 744744.. 1676  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

B677


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B677 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB677
Erweiterte Informationen zu B677
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B677 Datenblatt (jpg):-
B677 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD687
Ähnliche Typen: ↓BD898, [mehr]
BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B677


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B677 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB677
Erweiterte Informationen zu B677
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B677 Datenblatt (jpg):-
B677 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD687
Ähnliche Typen: ↓BD898, [mehr]
BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B677


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B677 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB677
Erweiterte Informationen zu B677
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B677 Datenblatt (jpg):-
B677 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD687
Ähnliche Typen: ↓BD898, [mehr]
BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung