Lookbooks
R
X
G
ll
 Página:
1 .. 737 738738 739 740 741 742742 743 .. 1676  
rr

Página principal

mn

SCR's

sc

Diodos

di

Transistores

tr

Circuitos integrados

ic

SMD Marking Codes

smd

Búsqueda por parámetro

L
R

B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Foto: -
Fuente: 2SB676
Información avanzada para B676
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑2SD686
Lista de tipos similares:BD902, [más]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Foto: -
Fuente: 2SB676
Información avanzada para B676
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑2SD686
Lista de tipos similares:BD902, [más]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Foto: -
Fuente: 2SB676
Información avanzada para B676
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑2SD686
Lista de tipos similares:BD902, [más]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

2SD686


SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B676
GFX
UCE/UCB 80/100V
IC 4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.2/2.1µS
TJ -
the 2SD686 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo complementario: 2SD686
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑2SB676
Lista de tipos similares:BD901, [más]
BD901,2SD1195
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

2SD686


SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B676
GFX
UCE/UCB 80/100V
IC 4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.2/2.1µS
TJ -
the 2SD686 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo complementario: 2SD686
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑2SB676
Lista de tipos similares:BD901, [más]
BD901,2SD1195
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

2SD686


SI NPN darlington transistor
Tipo complementario a B676
GFX
UCE/UCB 80/100V
IC 4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.2/2.1µS
TJ -
the 2SD686 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: integrated diode, power transistor
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo complementario: 2SD686
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: TO-220
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↑2SB676
Lista de tipos similares:BD901, [más]
BD901,2SD1195
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar
impressum
Información proporcionada sin garantía
política de privacidad