Lookbooks
R
X
G
страница:

B676


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Рисунок: -
источник: 2SB676
подробная информация B676
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD686
Список аналогов:BD902, [еще]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B676


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Рисунок: -
источник: 2SB676
подробная информация B676
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD686
Список аналогов:BD902, [еще]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B676


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Рисунок: -
источник: 2SB676
подробная информация B676
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD686
Список аналогов:BD902, [еще]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск