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B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Foto: -
fonte: 2SB676
Informazioni aggiuntive per B676
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↓2SD686
prodotti simili: ↓BD902, [piú]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
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B676


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
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UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
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