transistor B676 schede tecn.

B676

SI PNP darlington transistor

GFX

U_CE/U_CB

-80/-100V

I_C

-4A

h_FE

>2000

P_tot

30W

T_ON/T_OFF

0.15/1.2µS

T_J

the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode

Image:

Source:

2SB676

Informations plus avancées pour B676
OEM:	Toshiba Toky... [plus] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:	TO-220
Fiche technique (jpg):	-
Fiche technique (pdf):	-
OEM Fiche technique:	-
Type complémentaire: ↓	2SD686
Liste des type similaires: ↓	BD902, [plus] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
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Composant rech.:	recherche

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GFX

U_CE/U_CB

-80/-100V

I_C

-4A

h_FE

>2000

P_tot

30W

T_ON/T_OFF

0.15/1.2µS

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