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B676


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
the B676 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, applications: power transistor, integrated diode
Photo: -
Quelle: 2SB676
Erweiterte Informationen zu B676
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B676 Datenblatt (jpg):-
B676 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD686
Ähnliche Typen: ↓BD902, [mehr]
BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C
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B676


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GFX
UCE/UCB -80/-100V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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B676 Datenblatt (jpg):-
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