Lookbooks
R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 736736 737 738738 739 740740 741 742742 .. 1676  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

B675


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -7A
hFE 2-15k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.8/4.5µS
TJ -
the B675 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 7A, applications: integrated diode, power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB675
Erweiterte Informationen zu B675
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B675 Datenblatt (jpg):-
B675 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD635
Ähnliche Typen:BD646, [mehr]
BD646,BD898,BDW74A,BDX54A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B675


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -7A
hFE 2-15k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.8/4.5µS
TJ -
the B675 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 7A, applications: integrated diode, power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB675
Erweiterte Informationen zu B675
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B675 Datenblatt (jpg):-
B675 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD635
Ähnliche Typen:BD646, [mehr]
BD646,BD898,BDW74A,BDX54A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B675


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -7A
hFE 2-15k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.8/4.5µS
TJ -
the B675 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 7A, applications: integrated diode, power transistor
Photo: -
Quelle: 2SB675
Erweiterte Informationen zu B675
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B675 Datenblatt (jpg):-
B675 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD635
Ähnliche Typen:BD646, [mehr]
BD646,BD898,BDW74A,BDX54A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD635


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B675
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 7A
hFE 2-15k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.8/5.5µS
TJ -
the 2SD635 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 7A, applications: integrated diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD635
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
2SD635 Datenblatt (jpg):-
2SD635 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB675
Ähnliche Typen:BD645, [mehr]
BD645,BD897,BDX53A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD635


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B675
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 7A
hFE 2-15k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.8/5.5µS
TJ -
the 2SD635 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 7A, applications: integrated diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD635
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
2SD635 Datenblatt (jpg):-
2SD635 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB675
Ähnliche Typen:BD645, [mehr]
BD645,BD897,BDX53A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD635


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B675
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 7A
hFE 2-15k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.8/5.5µS
TJ -
the 2SD635 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 60V, Ic = 7A, applications: integrated diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD635
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
2SD635 Datenblatt (jpg):-
2SD635 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB675
Ähnliche Typen:BD645, [mehr]
BD645,BD897,BDX53A
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung