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B639


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
the B639 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, applications: integrated diode
Photo: -
Quelle: 2SB639
Erweiterte Informationen zu B639
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B639 Datenblatt (jpg):-
B639 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SD629
Ähnliche Typen:BDV64B, [mehr]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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UCE/UCB -100/-100V
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Komplementär Typ zu B639
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IC 10A
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
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BDV65B,BDX83C,BDX85C,2N6059
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