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B639


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
the B639 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, applications: integrated diode
Foto: -
fonte: 2SB639
Informazioni aggiuntive per B639
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
copertura: TO-3
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↓2SD629
prodotti simili: ↓BDV64B, [piú]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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B639


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
the B639 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, applications: integrated diode
Foto: -
fonte: 2SB639
Informazioni aggiuntive per B639
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
copertura: TO-3
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SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
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Hitachi Ltd. Japan
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