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B639


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
the B639 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, applications: integrated diode
Foto: -
Fuente: 2SB639
Información avanzada para B639
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SD629
Lista de tipos similares: ↓BDV64B, [más]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
Búsqueda de tipo similar:Buscar Similar
buscar una parte:buscar

B639


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
the B639 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, applications: integrated diode
Foto: -
Fuente: 2SB639
Información avanzada para B639
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
Paquete: TO-3
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario: ↓2SD629
Lista de tipos similares: ↓BDV64B, [más]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
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the B639 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, applications: integrated diode
Foto: -
Fuente: 2SB639
Información avanzada para B639
OEM:Hitachi Ltd.... [más]
Hitachi Ltd. Japan
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Tipo complementario: ↓2SD629
Lista de tipos similares: ↓BDV64B, [más]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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