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B615


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the B615 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Image: -
Source: 2SB615
Informations plus avancées pour B615
OEM:Mitsubishi E... [plus]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Package: TO-3
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↑2SD585
Liste des type similaires:BDV64C, [plus]
BDV64C,BDX62C,BDX64C,2SA1183
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GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the B615 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Image: -
Source: 2SB615
Informations plus avancées pour B615
OEM:Mitsubishi E... [plus]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Package: TO-3
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OEM Fiche technique:-
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GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
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Source: 2SB615
Informations plus avancées pour B615
OEM:Mitsubishi E... [plus]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Package: TO-3
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SI NPN darlington transistor
type complémentaire à B615
GFX
UCE/UCB 110/110V
IC 7A
hFE 1.1-2.4k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the 2SD585 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD585
OEM:Mitsubishi E... [plus]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Package: TO-3
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Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↑2SB615
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BDV65C,BDX63C,BDX65C,2SD1210
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SI NPN darlington transistor
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GFX
UCE/UCB 110/110V
IC 7A
hFE 1.1-2.4k
Ptot 80W
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the 2SD585 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Image: -
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Jaeger electronic catalog 1999
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Mitsubishi Electric Corp., Japan
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Jaeger electronic catalog 1999
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Mitsubishi Electric Corp., Japan
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BDV65C,BDX63C,BDX65C,2SD1210
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