Lookbooks
R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 671 672672 673 674 675 676676 677 .. 1676  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

B615


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the B615 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Photo: -
Quelle: 2SB615
Erweiterte Informationen zu B615
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-3
B615 Datenblatt (jpg):-
B615 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD585
Ähnliche Typen:BDV64C, [mehr]
BDV64C,BDX62C,BDX64C,2SA1183
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B615


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the B615 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Photo: -
Quelle: 2SB615
Erweiterte Informationen zu B615
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-3
B615 Datenblatt (jpg):-
B615 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD585
Ähnliche Typen:BDV64C, [mehr]
BDV64C,BDX62C,BDX64C,2SA1183
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B615


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -110/-110V
IC -7A
hFE 1.1-24k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the B615 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Photo: -
Quelle: 2SB615
Erweiterte Informationen zu B615
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-3
B615 Datenblatt (jpg):-
B615 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD585
Ähnliche Typen:BDV64C, [mehr]
BDV64C,BDX62C,BDX64C,2SA1183
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD585


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B615
GFX
UCE/UCB 110/110V
IC 7A
hFE 1.1-2.4k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the 2SD585 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD585
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-3
2SD585 Datenblatt (jpg):-
2SD585 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB615
Ähnliche Typen:BDV65C, [mehr]
BDV65C,BDX63C,BDX65C,2SD1210
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD585


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B615
GFX
UCE/UCB 110/110V
IC 7A
hFE 1.1-2.4k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the 2SD585 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD585
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-3
2SD585 Datenblatt (jpg):-
2SD585 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB615
Ähnliche Typen:BDV65C, [mehr]
BDV65C,BDX63C,BDX65C,2SD1210
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD585


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B615
GFX
UCE/UCB 110/110V
IC 7A
hFE 1.1-2.4k
Ptot 80W
fT -
TJ -
the 2SD585 is a silicon NPN darlington transistor, Uce = 110V, Ic = 7A
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD585
OEM:Mitsubishi E... [mehr]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
Gehäuse: TO-3
2SD585 Datenblatt (jpg):-
2SD585 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB615
Ähnliche Typen:BDV65C, [mehr]
BDV65C,BDX63C,BDX65C,2SD1210
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung