Lookbooks
R
X
G
страница:

BUP307D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
the BUP307D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP307D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BUP314D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP307D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
the BUP307D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP307D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BUP314D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP307D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
the BUP307D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP307D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:BUP314D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск