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BUP307D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
the BUP307D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per BUP307D
OEM:Siemens AG
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
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UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
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Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per BUP307D
OEM:Siemens AG
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-
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OEM:Siemens AG
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