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BUP307D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
the BUP307D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP307D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
BUP307D Datenblatt (jpg):-
BUP307D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:BUP314D
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Bauteilsuche:Suche

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Ptot 310W
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