| BUP307
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 1200V | | | UGE | ±20V | | IC | 35A | | Ptot | 310W | | fT | - | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [mehr] SH SIPMOS Halbleiter 1993/94 | | | Erweiterte Informationen zu BUP307 | | OEM: | Siemens AG | | Gehäuse: | TO-218AA | | BUP307 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | BUP307 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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