Lookbooks
R
X
G
страница:

BUP306D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
the BUP306D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP306D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:MGW12N120D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP306D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
the BUP306D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP306D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:MGW12N120D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP306D


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
the BUP306D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация BUP306D
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:MGW12N120D
искать аналог:-
поиск по детали:поиск