IGBT 晶体管 BUP306D 数据表

BUP306D

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

1000V

U_GE

±20V

I_C

21A

P_tot

165W

f_T

T_J

the BUP306D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode

图像:

来源:

Jaeger electronic catalog...... [更多]

Jaeger electronic catalog 1999

更多信息 BUP306D
OEM:	Siemens AG
封装:	TO-3P
数据表 (jpg):	-
数据表 (pdf):	-
OEM 数据表:	-
匹配型号:	-
相似型号: ↓	MGW12N120D
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OEM:	Siemens AG
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OEM:	Siemens AG
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