BUP302 силиконовый N-IGBT транзистор | | UCE | 1000V | | UGE | ±20V | IC | 12A | Ptot | 100W | fT | - | TJ | 150°C | Рисунок: | - | источник: | SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще] SH SIPMOS Halbleiter 1993/94 | | подробная информация BUP302 | OEM: | Siemens AG | Корпус: | TO-218AA | Лист технических данных (jpg): | открыть | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов: ↓ | GN12015C, [еще] GN12015C,GT15N101,GT15Q101 | искать аналог: | - | | поиск по детали: | поиск |
|
BUP302 силиконовый N-IGBT транзистор | | UCE | 1000V | | UGE | ±20V | IC | 12A | Ptot | 100W | fT | - | TJ | 150°C | Рисунок: | - | источник: | SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще] SH SIPMOS Halbleiter 1993/94 | |
| подробная информация BUP302 | OEM: | Siemens AG | Корпус: | TO-218AA | Лист технических данных (jpg): | открыть | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов: ↓ | GN12015C, [еще] GN12015C,GT15N101,GT15Q101 | искать аналог: | - | | поиск по детали: | поиск |
|
BUP302 силиконовый N-IGBT транзистор | | UCE | 1000V | | UGE | ±20V | IC | 12A | Ptot | 100W | fT | - | TJ | 150°C | Рисунок: | - | источник: | SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще] SH SIPMOS Halbleiter 1993/94 | | подробная информация BUP302 | OEM: | Siemens AG | Корпус: | TO-218AA | Лист технических данных (jpg): | открыть | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов: ↓ | GN12015C, [еще] GN12015C,GT15N101,GT15Q101 | искать аналог: | - | | поиск по детали: | поиск |
|
|