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BUP302


SI N-IGBT transistor
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
the BUP302 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications
Foto: -
fonte: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [piú]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Informazioni aggiuntive per BUP302
OEM:Siemens AG
copertura: TO-218AA
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:GN12015C, [piú]
GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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BUP302


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UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
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fonte: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [piú]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Informazioni aggiuntive per BUP302
OEM:Siemens AG
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fonte: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [piú]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
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