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BUP200D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
the BUP200D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP200D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-220AB
BUP200D Datenblatt (jpg):-
BUP200D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

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