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硅 schottky 二极管
GFX
UR 40V
IF 1A
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TJ 125°C
the 1N5819 is a silicon schottky barrier diode, U = 40V, I = 1A
图像: -
来源: General Semiconductor Po...... [更多]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
更多信息 1N5819
OEM:General Semi... [更多]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
封装: DO-204AL
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硅 schottky 二极管
GFX
UR 40V
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the 1N5819 is a silicon schottky barrier diode, U = 40V, I = 1A
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
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the 1N5819 is a silicon schottky diode, U = 40V, I = 1A
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来源: datasheet
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OEM:ITT Semicond... [更多]
ITT Semiconductors
封装: DO-41
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GFX
UR 40V
IF 1A
- -
- -
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TJ 150°C
the 1N5819 is a silicon schottky diode preferred for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, polarity protection and small battery chargers
图像: -
来源: datasheet
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OEM:SGS Thomson... [更多]
SGS Thomson Microelectronics
封装: DO-41
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硅 schottky 二极管
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UF / IF <0.6V/1A
TJ 175°C
the 1N5819 is a silicon schottky diode, Ur = 40V, I = 1A, applications: low power switched mode supply, rectifier
图像: -
来源: Philips Power Diodes 1999
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OEM:Philips Semi... [更多]
Philips Semiconductors
封装: SOD81
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UF / IF <0.6V/1A
TJ 175°C
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来源: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
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